특허 HOME >연구성과 >특허(등록)


특허등록
번호 산업재산권 명칭 출원/등록국가 연구책임자 단계
146 삼산화몰리브덴층을 포함하는 박막의 제조방법 대한민국 류순민 3단계
2차년도
145 이온성 탄성 유전체 기반 섬유형 트랜지스터 및 그 제조방법 대한민국 김도환 3단계
2차년도
144 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법 대한민국 한창수 3단계
2차년도
143 이황화몰리브덴 나노 플레이크의 제조방법 대한민국 임종선 3단계
2차년도
142 티오펜 유도체를 포함하는 공중합체 및 공중합체 주사슬의 배향 방법 대한민국 박태호 3단계
2차년도
141 전도성 유기 화합물을 포함하는 유기태양전지 대한민국 박태호 3단계
2차년도
140 전도성 고분자 화합물 및 그를 포함하는 유기전자소자 대한민국 박태호 3단계
2차년도
139 싸이에노피롤 유도체를 포함하는 공중합체 및 그를 포함하는 유기전자소자 대한민국 박태호 3단계
2차년도
138 티오펜 기반 공중합체 및 그를 포함하는 태양전지 대한민국 박태호 3단계
2차년도
137 티오펜 기반 공중합체를 포함하는 유기박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 대한민국 박태호 3단계
2차년도
136 성게 모양의 MnO2를 포함하는 계층적 구조의 재료, 이의 제조방법, 이를 포함하는 공기극 및 금속-공기전지 대한민국 고현협 3단계
2차년도
135 (공동)LAMINATE HAVING POROUS ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM AND CHEMICAL SENSOR COMPRISING SAME 미국 오준학 3단계
2차년도
134 다중저항변화 메모리소자(특허 출원명: 전이금속 칼코겐화합물를 전하저장층으로 이용한 다중저항상태를 가지는 저항변화 메모리) 대한민국 최성율 3단계
2차년도
133 그래핀 전사 방법 및 그 응용 대한민국 최성율 3단계
2차년도
132 적층체, 고립된 금속 패턴의 양극 산화 처리 방법, 및 그 방법을 이용한 유기박막 트랜지스터 회로의 제조 방법 대한민국 정성준 3단계
2차년도
<< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >>